1.真空电子栅（shan）栅极多极电子管包围阴极的螺旋电极。
细金属丝网或螺旋线的形状由金属丝制成，以控制板电流的强度或改变管的性能。
二，FET栅极（栅极）FET是基于三极管的原理研制出的新一代放大元件，有三个极性，即栅极，漏极，源极，其特点是栅极的内阻高，使用二氧化硅材料可以达到数百兆欧，是一种电压控制器件。
场效应晶体管（FET）缩写为FET。
它由多数载流子组成，也称为单极晶体管。
它是一种压控半导体器件。
它具有高输入电阻（108~109Ω），噪音。
体积小，功耗低，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽安全工作区等，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
场效应晶体管可用于放大。
由于FET放大器的输入阻抗非常高，所以耦合电容器可以具有小容量，并且不必使用电解电容器。
即，金属氧化物半导体型场效应晶体管，简称为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于绝缘栅格型。
其主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅，具有高输入电阻（高达1015Ω）。
它也分为N通道管和P通道管，符号如右图所示。
衬底（衬底）通常连接到源极S.MOSs根据它们的导电方式分为增强和耗尽模式。
所谓的增强型意味着当VGS = 0时，管处于关闭状态，并且在添加正确的VGS之后，大多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”。
该区域的载流子形成导电通道。
。
耗尽模式意味着当VGS = 0时，形成通道。
当正确地应用VGS时，大多数载波可以流出信道，从而“耗尽”VGS。
载体和关闭管。
以N沟道为例，在P型硅衬底上形成两个高差源极扩散区N +和漏极扩散区N +，并分别引出源极S和漏极D.源极和衬底在内部连接，并且两者保持相同的电位。
右侧符号（a）中的头部方向是向外方向，表示N型通道指向P型材料（基板）。
当电源的正极错过且源极连接到电源的负极且VGS = 0时，沟道电流（即漏极电流）ID = 0。
随着VGS逐渐上升，由于栅极正电压的吸引，当VGS大于管时，在两个扩散区之间感应出带负电的少数载流子，从漏极到源极形成N型沟道。
当导通电压VTN（通常约+ 2V）导通时，N沟道晶体管开始导通，形成漏极电流ID。
MOS FET更“吱吱”。
这是因为它的输入电阻非常高，栅极 - 源极电容非常小，很容易被外部电磁场或静电充电，少量电荷会在极间电容上形成相对较高的电压（U = Q / C），管子损坏了。
因此，工厂的引脚被绞合在一起，或者安装在金属箔中，使得G极和S极是等电位的，以防止静电积聚。
当管子不使用时，所有引线都应短路。
在测量和采取适当的防静电措施时应小心。
检测方法如下所述。
1.在准备工作测量之前，在接触MOSFET引脚之前将人体接地短路。
最好将电线连接到手腕上的地面，以保持人体和地球处于同一电位。
然后将销分开并取下电线。
2.确定电极在R×100文件中拨打万用表，并首先确定门。
如果一只脚和另一只脚的电阻是无限的，则证明这只脚是门G.交换计重量测量，SD之间的电阻值应为几百欧姆到几千欧姆，其中电阻值为较小的黑色表笔连接到D极，红色表笔连接到S极。
日本生产的3SK系列，S极连接到管子，很容易确定S极。
检测管门：1。
在额定电压下点亮灯丝并预热数十秒。
2.万用表放在Rx100文件中，黑色笔接触网格，红色笔接触阴极。
如果出现稳定的指示，则证明管基本正常。
在相同条件下比较用新管测量的值可粗略地确定管的老化程度。
