电导率型P型（硼掺杂），掺杂剂B;单晶硅单晶硅棒电阻率（电阻率）：0.5Ω~3Ω，3Ω~6Ω氧含量（氧浓度）≤1.0×1018at / cm3碳含量（CarbonConcentration）≤5.0×1016at / cm3C少数载流子寿命（ <MinorityCarrierLifetime）＆gt; 5US
设计用于保护电压敏感电子元件免受ESD和其他瞬变影响。出色的箝位能力、低漏电、低电容和快速响应时间为易受ESD影响的设计提供同类最佳的保护。 小尺寸、低电容和高水平ESD保护的组合使其成为HDMI、Display Port TM和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它被设计用于取代多层压敏电阻器（MLV）在消费类设备应用中的应用，如移动的、笔记本电脑、PAD、STB、LCD TV等。
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