CET成立于1984年，是中国最具竞争力的功率半导体制造工厂。
公司已获得多项产品发明专利，并通过ISO14001，QS9000和ISO9001认证。
华瑞是台湾第一家开发，生产和销售MOSFET自有品牌的公司。
从元件设计，晶圆加工，封装，测试和客户服务到全球营销。
该公司的产品已广泛应用于M / B，NB，UPS，电源逆变器，CCFL，DC风扇，SMPS，适配器，照明，电池，DC-DC，LCD显示器......等领域。
华瑞拥有20多年的IC封装经验，是台湾最广泛，最古老的设计团队。
在此基础上，未来将开发更先进的产品，以客户服务为导向，并提供最佳的质量和交货时间，以满足客户的需求。
概述mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属 - 绝缘体 - 半导体。
MOS管的源极和漏极可以反转。
它们都是在P型背栅中形成的N型区域。
在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端是相反的，也不会影响设备的性能。
这种装置被认为是对称的。
引言双极晶体管放大输入电流的微小变化，并在输出端输出大电流变化。
双极晶体管的增益定义为输出与输入电流（β）的比率。
另一种称为场效应晶体管（FET）的晶体管将输入电压的变化转换为输出电流的变化。
FET的增益等于其跨导，定义为输出电流变化与输入电压变化之比。
FET的名称也来自其输入（称为栅极），其通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。
实际上没有电流流过该绝缘体，因此FET管的GATE电流非常小。
最常见的FET在GATE极下使用薄的二氧化硅层作为绝缘体。
这种晶体管被称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
由于MOS管体积更小且功率更高，因此在许多应用中它们已经取代了双极晶体管。
